Marktprognose für HF-Leistungsverstärker im Nahen Osten und Afrika bis 2031 – Regionale Analyse – nach Frequenz (weniger als 10 GHz, 11–20 GHz, 21–30 GHz und über 30 GHz), Technologie (Galiumarsenid (GaaS), Galiumnitrid (GaN), Siliziumgermanium (SiGe) und andere) und Anwendung (Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Automobil, Medizin und andere)

Der Markt für HF-Leistungsverstärker im Nahen Osten und Afrika wurde im Jahr 2023 auf 366,56 Millionen US-Dollar geschätzt und soll bis 2031 829,19 Millionen US-Dollar erreichen; von 2023 bis 2031 wird eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate von 10,7 % erwartet.

Fortschritte bei Galliumnitrid, Galliumarsenid (GaAs) und komplementären Metalloxidhalbleitern (CMOS) stärken den Markt für HF-Leistungsverstärker im Nahen Osten und Afrika

GaAs, Galliumnitrid (GAN) und komplementäre Metalloxidhalbleiter (CMOS) bieten energieeffiziente und kompakte Lösungen für HF-Leistungsverstärker und sind daher für verschiedene Anwendungen bestens geeignet. Galliumnitrid (GAN) eignet sich aufgrund seiner hohen Durchbruchspannungen, hohen Elektronenbeweglichkeit und Sättigungsgeschwindigkeit gut für Mikrowellenanwendungen mit hoher Leistung und hohen Temperaturen. Es ist ideal für HF-Leistungsverstärker, die in der drahtlosen Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung, in Stromnetzen und Mikrowellenherden eingesetzt werden. HF-Transistoren auf GAN-Basis sind für ihre Fähigkeit bekannt, ihre Leistung im Vergleich zu Siliziumtransistoren bei höheren Temperaturen aufrechtzuerhalten, was ihre Zuverlässigkeit und Effizienz verbessert. Galliumarsenid (GaAs) ist ein weiterer Verbindungshalbleiter, der weit verbreitet in HF-Leistungsverstärkern verwendet wird. GaAs-Leistungsverstärker werden häufig in Mobiltelefonen verwendet und decken verschiedene Frequenzbereiche ab. Sie bieten hohe Leistungspegel und sind auf maximale Leistungseffizienz ausgelegt. Auch die CMOS-Technologie (Complementary Metal Oxide Semiconductor) erweist sich als vielversprechende Option für HF-Leistungsverstärker. CMOS-basierte HF-Leistungsverstärker bieten Vorteile wie niedrigen Stromverbrauch, kleinen Formfaktor und Integration mit anderen CMOS-Komponenten. Diese Eigenschaften machen CMOS-basierte HF-Leistungsverstärker geeignet für Anwendungen, bei denen Energieeffizienz und Kompaktheit entscheidend sind. Der Einsatz von GaAs-, GAN- und CMOS-Komponenten in HF-Leistungsverstärkern wird durch den Bedarf an energieeffizienten und kompakten Lösungen vorangetrieben. Unternehmen arbeiten bei der Entwicklung dieser Technologien zusammen; So erreichten beispielsweise STMicroelectronics und MACOM Technology Solutions Holdings Inc. im Mai 2022 einen bedeutenden Meilenstein, indem sie erfolgreich Prototypen der Hochfrequenz-Galliumnitrid-auf-Silizium-Technologie (RF GAN-on-Si) entwickelten. Es wird erwartet, dass diese neuen Technologien das Wachstum des Marktes für HF-Leistungsverstärker weiter vorantreiben und Fortschritte in der drahtlosen Kommunikation, in Rechenzentren und anderen Branchen ermöglichen.

Überblick über den Markt für HF-Leistungsverstärker im Nahen Osten und Afrika

Der MEA-Markt für HF-Leistungsverstärker ist in Südafrika, Saudi-Arabien, die Vereinigten Arabischen Emirate und den Rest des MEA unterteilt. Die Regierungen der MEA-Länder betreiben den Einsatz drahtloser Netzwerke wie Wi-Fi 6E, um fortschrittliche Technologien zu ermöglichen. So hat beispielsweise die Communications and Information Technology Commission (CITC) von Saudi-Arabien im Februar 2022 ihre „WLAN-Vorschriften“ herausgegeben und damit die globale und regionale Dominanz des Landes im Bereich Wi-Fi und lizenzfreie Technologien gestärkt, die neueste Generation von Hochgeschwindigkeits-Telekommunikationstechnologien aktiviert und die Nutzung neuer und zukünftiger Technologien ermöglicht. Die WLAN-Vorschriften legen eine Regulierungsrichtlinie für die Nutzung von WLAN-Anwendungen im Land fest und machen neue Frequenzbänder in den 6-GHz- und 60-GHz-Bändern zugänglich, um die fortgesetzte Nutzung von WLAN-Anwendungen zu fördern. HF-Leistungsverstärker spielen eine wichtige Rolle bei der Verstärkung und Anpassung von Signalen.

Umsatz und Prognose des Marktes für HF-Leistungsverstärker im Nahen Osten und Afrika bis 2031 (in Mio. USD)

Segmentierung des Marktes für HF-Leistungsverstärker im Nahen Osten und Afrika

Der Markt für HF-Leistungsverstärker im Nahen Osten und Afrika ist nach Frequenz, Technologie, Anwendung und Land kategorisiert.

Basierend auf der Frequenz ist der Markt für HF-Leistungsverstärker im Nahen Osten und Afrika in weniger als 10 GHz, 11–20 GHz, 21–30 GHz und über 30 GHz unterteilt. Das Segment unter 10 GHz hatte 2023 den größten Marktanteil.

In Bezug auf die Technologie ist der Markt für HF-Leistungsverstärker im Nahen Osten und Afrika in Galiumarsenid, Galiumnitrid, Siliziumgermanium und andere unterteilt. Das Segment Galiumarsenid hatte 2023 den größten Marktanteil.

Nach Anwendung ist der Markt für HF-Leistungsverstärker im Nahen Osten und Afrika in Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Automobil, Medizin und andere unterteilt. Das Segment Unterhaltungselektronik hatte 2023 den größten Marktanteil.

Nach Ländern ist der Markt für HF-Leistungsverstärker im Nahen Osten und Afrika in die Vereinigten Arabischen Emirate, Saudi-Arabien, Südafrika und den Rest des Nahen Ostens und Afrikas unterteilt. Die VAE dominierten im Jahr 2023 den Marktanteil von HF-Leistungsverstärkern im Nahen Osten und in Afrika.

Qorvo Inc, NXP Semiconductors NV, Qualcomm Inc, Infineon Technologies AG, Broadcom Inc, Mitsubishi Electric Corp, STMicroelectronics NV und Analog Devices Inc. sind einige der führenden Unternehmen auf dem Markt für HF-Leistungsverstärker im Nahen Osten und in Afrika.

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